Fotodetectores de infravermelho baseados em pontos quânticos (QDIPs)


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Desenvolvemos fotodetectores de infravermelho baseados em transições intrabanda em pontos quânticos de semicondutores III-V para diferentes aplicações. Contrário aos QWIPs esses fotodetectores têm a vantagem de permitirem o acoplamento com radiação de incidência normal. Em particular, temos interesse em transições intrabanda extremamente finas para melhor contraste em imageamento e discernimento na composição de misturas gasosas, por exemplo.

Fig. 1 Estrutura QDIP com linewidth extremamente estreita em 100 meV.

Os resultados obtidos se encontram disponíveis nas seguintes referências:

  • Simultaneous positive and negative photocurrent response in asymmetric quantum dot infrared photodetectors.

    Alvarenga, D.; PARRA-MURILLO, C. A.; PENELLO, G. M.; Penello, G. M.; KAWABATA, R.; RODRIGUES, W. N.; MIQUITA, D. R.; SCHMIDT, W.; GUIMARA'ES, P. S. S.; PIRES, M. P.; SOUZA, P. L.; Unterrainer, K.
    Journal of Applied Physics. , v.113, p.043721 - , 2013.

  • Exceptionally Narrow-Band Quantum Dot Infrared Photodetector.

    Alvarenga, Déborah R.; Parra-Murillo, Carlos A.; Kawabata, Rudy M. S.; Guimaraes, Paulo S. S.; Unterrainer, K.; Pires, Mauricio P.; Vieira, Gustavo S.; Villas-Boas, José M.; Maialle, Marcelo Z.; MAIALLE, M. Z.; Degani, Marcos H.; Farinas, Paulo F.; Nelson, Studart SOUZA, P. L.;
    IEEE Journal of Quantum Electronics. , v.48, p.1360 - 1366, 2012.

  • Multiple-photon peak generation near the ?10 ?m range in quantum dot infrared photodetectors.

    Degani, Marcos H.; Maialle, Marcelo Z.; Farinas, Paulo F.; Studart, Nelson; Pires, Mauricio P.; Souza, Patricia L.
    Journal of Applied Physics. , v.109, p.064510 - , 2011.
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