Moduladores de amplitude com superrede de dopagem planar


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A introdução de uma superrede de dopagem nipi numa estrutura de poços quânticos múltiplos dobra o deslocamento Stark, conforme previsto teoricamente por Batty e Allsopp em 1993. A fim de observar este efeito experimentalmente superredes de GaAs/AlGaAs com dopagem planar tipo n no poço e tipo p na barreira foram crescidas. Carbono foi utilizado como dopante. A introdução da dopagem planar na superrede deve aumentar o deslocamento Stark, e portanto, deve fornecer um material mais adequado para a confecção de moduladores de amplitude.

Fig. 1 Razão de contraste em função da voltagem reversa aplicada para a amostra com superrede de dopagem e para a referência.

Fig. 2 Parâmetro de chirp em função do campo elétrico aplicado externamente para a amostra com superrede de dopagem e para a referência.

Os resultados obtidos se encontram disponíveis nas seguintes referências:

  • Enhancement of the electroabsorption in multiple quantum well structures containing an nipi delta-doping superlattice

    C.V-B. Tribuzy, M. C. L. Areiza, S. M. Landi, M. Borgstrom, M. P. Pires and P. L. Souza
    Applied Physics Letters 86,

  • Effect of an Nipi Delta Doping Superlattice on In1-xGaxAs/In1-yAlyAs Amplitude Modulator Parameters

    C.V-B. Tribuzy, M. P. Pires, P. L. Souza e B. Yavich
    Microwave and Optical Technology Letters 43,168-173 (2004).

  • Delta doping superlattice structures for amplitude modulators: observation of the Stark effect and improvement of the chirp

    C. V.-B. Tribuzy, M. P. Pires, S. M. Landi, M. Borgström e P. L. Souza
    Applied Physics Letters 84, 3256-3258 (2004).

  • InGaAs/InAlAs Strained Multiple Quantum Wells for Efficient Amplitude Modulators

    C.V-B. Tribuzy, M. P. Pires, P. L. Souza e B. Yavich
    IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 52, 1592-1597 (2004).

  • Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy

    L. K. Hanamoto, C. M. A. Farias, A. B. Henriques, C. V.-B. Tribuzy, P. L. Souza e B. Yavich
    Journal of Applied Physics 93, 5460-5464 (2003).

  • Photoluminescence of GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures containing ?-doping superlattices

    S. M. Landi, C. V.-B. Tribuzy, P. L. Souza, R. Butendeich, A. C. Bittencourt e G. E. Marq/h5>
    Physical Review B 67, 085304 (2003).

  • Effect of growth temperature on C-doped InAlAs layers grown by LP-MOVPE

    M. L. Ribeiro, P. L. Souza, C. V. B.-Tribuzy e B.Yavich
    Journal of Crystal Growth 248, 134-138 (2003).
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