Estruturas de pontos quânticos


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Pesquisamos o crescimento epitaxial de pontos quânticos auto-organizados de semicondutores III-V pela técnica de MOVPE (metalorganic vapor phase epitaxy). Os pontos quânticos são de InAs ou ternários, InGaAs, sobre GaAs ou InP e suas ligas. Essas estruturas são posteriormente utilizadas na fabricação de diferentes dispositivos optoeletrônicos.

Também temos atividades na deposição de pontos quânticos e sítios pré-estabelecidos utilizando microscopia de força atômica para introduzir endentações ou oxidação anódica.

Fig. 1 Indentations introduced with an AFM tip and quantum dots grown on the indentations.

Os resultados obtidos se encontram disponíveis nas seguintes referências:

  • Growth of linearly ordered arrays of InAs nanocrystals on scratched InP.

    Fonseca-Filho, H. D.; Almeida, C. M.; PRIOLI, R.; PIRES, M. P.; SOUZA, P. L.; Wu, Z. H.; Wei, Q. Y.; PONCE, F. A.
    Journal of Applied Physics. , v.107, p.054313 - , 2010.

  • Atomic force nanolithography of InP for site control growth of InAs nanostructures.

    FONSECA FILHO, H.; PRIOLI, R.; PIRES, M. P.; LOPES, A. J.; SOUZA, P. L.; PONCE, F. A.
    Applied Physics Letters. , v.90, p.013117 - , 2007.

  • Growth of InAs nanostructures on InP using atomic-force nanolithography.

    FONSECA FILHO, H.; PRIOLI, R.; PIRES, M. P.; LOPES, A. J.; SOUZA, P. L.; PONCE, F. A.
    Applied Physics. A, Materials Science & Processing (Print). , v.89, p.945 - 949, 2007.
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