Estruturas pseudomórficas de InGaAs/InAlAs


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Estruturas de InGaAs/InAlAs foram estudadas em função da composição da liga de InGaAs, da dopagem da camada de InAlAs e da espessura do espaçador de InAlAs. O objetivo foi otimizar a estrutura para se obter um produto mobilidade vezes concentração de portadores livres o mais elevado possível para aplicações em transistores de alta mobilidade eletrônica. Valor record para esse produto foi obtido para uma estrutura com 60% de In na liga de InGaAs, espessura do poço de InGaAs de 180 Å e espessura do espaçador de InAlAs de 50 Å.

A tabela abaixo contém os dados das amostras investigadas.

300 K 77 K
Amostra In Wth dsp mH ns mH x nx mH ns mH x nx
280 0.53 40 5 10900 3.25 3.54 67600 2.65 17.0
281 0.53 40 8 11100 2.93 3.25 71900 2.35 16.90
282 0.60 23 5 12100 3.32 4.02 80600 2.84 22.90
283 0.70 24 10 8100 2.74 2.22 16500 2.50 6.63
284 0.80 20 8 830 2.10 1.74 780 2.07 0.21
286 0.53 30 5 10900 3.69 4.02 62000 2.98 18.48
287 0.60 18 5 11800 4.06 4.79 77700 3.33 25.87


Os resultados obtidos se encontram disponíveis nas seguintes referências:

  • Pseudomorphic InGaAs/InAlAs modulation doped heterostructures grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy

    R. G. Pereira, B. Yavich, L. C. D. Gonçalves, P. L. Souza e A. Henriques
    Electronics Letters 34, 2173, 1998.

  • Modulation-doped InGaAs/InAlAs pseudomorphic structures grown by LP-MOVPE

    P. L. Souza, B. Yavich, A. B. Henriques, R. G. Pereira e L. C. D. Gonçalves
    Proceedings da 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel, World Scientific, 1998.
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