Caracterização de diodos de InGaAs/InAlAs

Diodos contendo poços quânticos múltiplos de InGaAs/InAlAs, com frequência, não apresentam sinal de fotocorrente quando caracterizados a baixa temperatura. Estudos das curvas I vs V desses diodos em função da temperatura, com e sem incidência de fótons de diferentes faixas de comprimentos de onda, foram conduzidos. Os resultados mostram que portadores de corrente são armadilhados no poço quântico de InGaAs ou nas interfaces. Os portadores de corrente podem ser liberados eletrica ou termicamente. A energia de ativação de tais armadilhas aumenta com a concentração de Ga na liga do poço. Medidas de ruído nessas estruturas foram efetuadas e os resultados confirmam a presença de defeitos de interface.